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更新時間:2025-12-15
瀏覽次數(shù):25在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,一個直徑僅0.2微米的微小顆粒就可能導(dǎo)致整片晶圓報廢。傳統(tǒng)設(shè)備清潔方式需停機(jī)拆解、人工擦拭,既耗時又易產(chǎn)生二次污染。日東電工(Nitto)推出的Cleaning Wafer™清洗晶圓,以創(chuàng)新的"干式清潔"理念,將設(shè)備維護(hù)時間縮短70%以上,并循環(huán)回收系統(tǒng),為芯片制造業(yè)的綠色發(fā)展開辟了新路徑。
一、技術(shù)突破:讓晶圓自己"吸塵"Cleaning Wafer™并非普通清潔耗材,而是一片內(nèi)置特殊粒子移除層的仿真晶圓。其表面硬度達(dá)500MPa(22°C),采用低彈性模量樹脂材料,觸感不粘手卻能有效吸附硅粉、金屬及有機(jī)微粒。當(dāng)這片"智能清潔晶圓"被送入設(shè)備傳輸系統(tǒng)時,它會模擬真實(shí)晶圓的運(yùn)行軌跡,在機(jī)械手臂、真空夾盤臺(Chuck Table)等關(guān)鍵部位完成"無接觸式"清掃,可捕獲0.2微米及以上的各類顆粒。與傳統(tǒng)濕法清洗相比,該技術(shù)了RCA清洗中氨水、過氧化氫等化學(xué)品的廢液排放問題,無需使用任何溶劑,從源頭消除了水污染風(fēng)險。在干蝕刻、光刻、離子注入等核心工藝中,Cleaning Wafer™可穩(wěn)定冷卻氦氣通路、減少真空錯誤,使焦點(diǎn)偏移故障率下降40%
二、環(huán)保價值:停機(jī)時間縮短=碳排放銳減半導(dǎo)體工廠的能耗密高,僅一臺光刻機(jī)每小時耗電就超過200度。傳統(tǒng)清潔方式需開啟設(shè)備腔室、破真空、加濕擦拭,單次維護(hù)耗時2-4小時,期間設(shè)備空轉(zhuǎn)造成的能源浪費(fèi)巨大。Nitto實(shí)測數(shù)據(jù)顯示,使用CW1000型號清洗晶圓后,清潔作業(yè)無需停止或打開設(shè)備,可將維護(hù)時間壓縮至30分鐘內(nèi),相當(dāng)于每班次減少碳排放約150kg。更關(guān)鍵的是,Cleaning Wafer™"一次性耗材"模式。其創(chuàng)的循環(huán)型業(yè)務(wù)系統(tǒng)允許客戶將使用后的清洗晶圓寄回Nitto工廠,通過專業(yè)工藝分離仿真晶圓與粘合層,晶圓基片可重復(fù)使用5-7次。這一設(shè)計使每萬片晶圓生產(chǎn)的清潔材料消耗量減少80%,固體廢棄物產(chǎn)生量降低75%,契合循環(huán)經(jīng)濟(jì)的3R原則。
三、認(rèn)證:日經(jīng)大獎背書綠色創(chuàng)新2012年,Cleaning Wafer™在日本經(jīng)濟(jì)新聞社主辦的"日經(jīng)優(yōu)秀產(chǎn)品服務(wù)大獎"中,從約20,000家企業(yè)的新品中脫穎而出,榮獲產(chǎn)業(yè)新聞獎優(yōu)秀獎。評委特別指出:"該產(chǎn)品更通過功能性與環(huán)保性的融合,重新定義了半導(dǎo)體設(shè)備的清潔標(biāo)準(zhǔn)"。獎項(xiàng)背后是其嚴(yán)苛的環(huán)境適應(yīng)性設(shè)計。產(chǎn)品可在 -20℃至50℃ 寬溫域內(nèi)穩(wěn)定工作,厚度僅720-900微米,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵材料,滿足半導(dǎo)體行業(yè)對潔凈室Class 100以下的微粒控制要求。在8英寸及12英寸晶圓產(chǎn)線中,其V型凹口設(shè)計確保與自動化傳輸系統(tǒng)精準(zhǔn)兼容,避免因設(shè)備改造產(chǎn)生額外資源消耗。四、應(yīng)用實(shí)證:從邏輯芯片到MEMS全覆蓋在臺積電等晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用中,Cleaning Wafer™展現(xiàn)出跨工藝平臺的普適性:存儲器/邏輯芯片:在干蝕刻環(huán)節(jié),將腔室清潔頻率從每日1次降至每周2次,設(shè)備綜合效率(OEE)提升8%功率器件:在探針臺(Prober)應(yīng)用中,減少因顆粒導(dǎo)致的測試誤判,良率損失降低0.3%MEMS傳感器:在深度反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)設(shè)備中,成功吸附工藝副產(chǎn)物,維護(hù)周期延長3倍某12英寸廠案例顯示,導(dǎo)入該方案后年度化學(xué)品采購費(fèi)用減少120萬元,因停機(jī)造成的產(chǎn)能損失挽回價值超800萬元,投資回收期僅4.6個月。
五、未來展望:綠色制造的新基建隨著制程節(jié)點(diǎn)邁入3nm時代,晶體管密度突破每平方毫米2億個,對顆??刂频囊笠烟嵘?.1納米級。Nitto Cleaning Wafer™的技術(shù)邏輯——以物理吸附替代化學(xué)腐蝕、以在線清潔替代離線停工、以循環(huán)再生替代一次性消耗,為半導(dǎo)體行業(yè)提供了可復(fù)制的綠色模板。在"碳中和"目標(biāo)驅(qū)動下,中國晶圓廠正加速采納此類環(huán)保技術(shù)。據(jù)SEMI預(yù)測,到2025年,干式清潔材料在設(shè)備維護(hù)中的滲透率將從目前的15%提升至35%,帶動整個行業(yè)每年減少化學(xué)廢液排放超10萬噸。Nitto已在上海、深圳設(shè)立技術(shù)支持中心,為本土企業(yè)提供8:30-17:30的實(shí)時響應(yīng)服務(wù),助力國產(chǎn)芯片制造向更清潔、更高效邁進(jìn)。結(jié)語:當(dāng)芯片成為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的基石,其制造過程的綠色化不再是可選項(xiàng)。Nitto Cleaning Wafer™用一片薄薄的"智能晶圓"證明:環(huán)保與效率從不矛盾,真正的技術(shù)創(chuàng)新,是讓每一顆為AI算力服務(wù)晶體管,都誕生于更潔凈的地球。
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